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新黄金城hjc222希达工程承接的英诺赛科(苏州)半导体有限公司新建研发楼开工仪式隆重举行

日期: 2021-12-21

   近日,由新黄金城hjc222希达工程以EPC模式承建的英诺赛科(苏州)半导体有限公司新建半导体生产厂房等项目新建研发楼开工仪式在吴江汾湖隆重举行,希达公司负责人受邀出席开工仪式。

研发楼开工仪式

研发楼开工仪式

  英诺赛科(苏州)半导体芯片项目坐落于苏州市吴江区汾湖高新技术产业开发区,项目聚焦在第三代半导体材料氮化镓,将成为一个集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析为一体的第三代半导体生产平台。该项目将被打造成为全球领先的8英寸硅基氮化镓量产基地,其生产的氮化镓功率器件、功率模块和射频器件,将全面助力新能源汽车、5G通信、人工智能、无线充电与快充、数据中心及激光雷达等行业高效、节能、绿色发展。研发楼项目的正式启动是继生产厂房量产之后又一重要里程碑事件,该研发楼的建成将成为汾湖乃至吴江的地标性建筑,也预示着未来将有更多创新成果在此诞生。

  继苏州英诺赛科一期项目圆满成功之后,希达工程再次承建英诺赛科研发楼项目,这也标志着英诺赛科与公司的合作更加紧密。

英诺赛科(苏州)半导体有限公司全厂鸟瞰效果图

研发楼效果图


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